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晶体管输入特性问题(关于击穿区)

发布时间:2019-07-03 06:42 来源:未知 编辑:admin

  由图我们可以看到,曲线右端有一上翘部分,即击穿区,随着输入电流的增大,击穿电压是降低的。请问这种击穿是雪崩击穿吧?是否有负阻特性,使曲线上翘后折回饱和区?晶体管的饱和是不...

  由图我们可以看到,曲线右端有一上翘部分,即击穿区,随着输入电流的增大,击穿电压是降低的。请问这种击穿是雪崩击穿吧?是否有负阻特性,使曲线上翘后折回饱和区?晶体管的饱和是不是由于晶体管的击穿导致?

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  展开全部这种击穿是雪崩击穿;有负阻特性,曲线上翘后折回饱和区;晶体管的饱和不是由于晶体管的击穿导致的。追问非常感谢!如果我们将稳压电源Vcc取得很大,直接超过BVCEO,那不管基极正向偏置多大,它都立马雪崩击穿?实际应用它应该是需要时间才能击穿的吧?话说饱和跟雪崩击穿是不是都能使晶体管集射极之间如同开关一样导通?追答电源Vcc超过BVCEO,不管基极正向偏置多大,三极管立马雪崩击穿;

  饱和跟雪崩击穿确实是都能使晶体管集射极之间导通,但饱和是可恢复的,而雪崩击穿是不可恢复的。

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